Текст книги "Александр Иванович Шокин. Портрет на фоне эпохи"

Автор книги: авторов Коллектив

сообщить о нарушении

Текущая страница: 48 (всего у книги 55 страниц)

Звонит ему, например, заместитель Сербина Зорин:

– Мы в ЦК решили…

– Кто это вы? ЦК это мы, его члены, а вы – аппарат!

Когда-то между Шокиным и Сербиным пробежала кошка; вредный характер последнего отмечают все, кто с ним сталкивался, у первого характер тоже исключал возможность идти на поклон, а подыскать в деятельности А.И. недостатки или упущения было проще простого – любители пожаловаться на отставание элементной базы всегда были под рукой. 6 января 1974 В.М. Пролейко записал в дневнике: «Скучная судьба у представителей МЭП на любых межведомственных совещаниях: все обрушиваются на них по всем поводам, возражая даже против необходимости решать внешние и необходимые проблемы: материалы, оборудование, метрика и др. Стоит ли тратить на это время?»

Министру, вступившему в седьмой десяток лет жизни, уже нужно было всерьез искать себе преемников. В октябре 1970 года в связи с обострившейся болезнью была удовлетворена просьба об уходе заместителя министра Ф.В. Лукина, директора Научного центра. В Зеленограде его преемником стал опытный разработчик аппаратуры, тоже бывший главный инженер КБ-1, кандидат технических наук и генерал-майор А.В. Пивоваров. Несколько позже ушел из министерства первый заместитель министра К.И. Михайлов[322]322
  Он ушел не просто так, а после какого-то скандала, связанного с тем самым банкетом, якобы там были использованы государственные средства. Но сведения не подтвердились, и пришлось уходить. Никакие связи на сей раз не помогли. Долго еще Михайлов был директором ВДНХ.


[Закрыть]. Такие вот образовались вакансии [323]323
  Позднее Пролейко так откликнулся на кончину того и другого:
  «Умер Константин Иванович Михайлов – бывший 1-й зам МЭП, типичный руководитель образца 1950-60-х годов, человек со связями и энергией, имевший всегда команду». (Запись 7 февраля 1981 г.).
  «Вчера в 12 ч. умер Иван Дмитриевич Сербин (Иван Грозный), старейший зав. отделом ЦК – судьба многих. 5 орденов Ленина, но не Герой Соц. Труда. Скромные похороны». (Запись 16 февраля 1981 г.).


[Закрыть].

Вместо Михайлова первым заместителем министра стал В.Г. Колесников, генеральный директор воронежской «Электроники». Теперь у А.И.

было два молодых – чуть-чуть за сорок – перспективных заместителя. Вторым в этой паре был С.В. Ильюшин, пришедший в заместители министра еще в 1965 году с должности Генерального директора МЭЛЗа. ЦК выбрал Колесникова, по-видимому, учитывая перспективность микроэлектроники, которой тот занимался[324]324
  В дневниках Пролейко указывается, что была поддержка со стороны Устинова. Тот, находясь в Воронеже, задал вопрос, нельзя ли в микроэлектронном производстве применить роторно-конвейерные линии Кошкина, которые он очень высоко ценил по их применению в производстве патронов и снарядов, и получил заверения, что, конечно, можно.


[Закрыть]. А.И. Шокин очень тепло относился к своим молодым заместителям, старался поддержать их, как только мог. Среди этих действий был даже специальный прием на даче в Петрово-Дальнем. Произошло это летом 1971 года.

Семидесятые годы, которые некоторые люди почему-то назвали «застойными», были для А.И. самыми успешными, хотя и очень трудными. Возможности и области применения электроники расширялись самым удивительным образом. Полупроводниковая техника вступила в очередной этап своего развития. В первом, в пятидесятые годы, происходило создание основ полупроводниковой технологии. Появление интегральных схем ознаменовало вступление во второй этап, продолжавшийся все шестидесятые годы. В этот период шло постепенное повышение числа полупроводниковых элементов на одном кристалле – от схем с малой и средней степенью интеграции до первых больших интегральных схем, на кристаллах которых размещалось до десяти тысяч элементов. Теперь начался третий этап, когда успехи в создании схем с высокой и сверхвысокой степенью интеграции сделали возможным на одном и том же кристалле одновременно размещать элементы логики и памяти. И вот в конце 1973 года в зарубежной печати появились первые сообщения о создании микропроцессоров – больших интегральных схем, которые могли выполнять функции простейших вычислительных устройств. Тем самым для вычислительной техники и приборостроения были открыты совершенно новые, тогда еще труднопредсказуемые, перспективы.

Рост выпуска полупроводниковых приборов шел очень быстро. В США в период с 1972 по 1978 год стоимость продаж этой продукции (в постоянных ценах) ежегодно возрастала почти на 20 %.

О том, сколь важна роль электроники в развитии оборонной и экономической мощи страны, знали или догадывались у нас многие. Тех же, кто понимал, что она решающая, было куда меньше. И похоже, что только А.И. со своей командой представлял всю грандиозность выгод, которые несет с собой развитие электроники, и тех материальных и интеллектуальных затрат, которые нужны для их реализации.

Время жизненного цикла новых полупроводниковых изделий постоянно сокращалось: если в 50-е годы из всех внедренных транзисторов более половины морально устаревали через два года, то к концу семидесятых это время сократилось вдвое. Достигалось это крупными затратами на НИОКР. При среднем их уровне для всех фирм обрабатывающей промышленности США в 1977 году в 3,1 % от стоимости продаж, для электронных компонентов он составил в целом 7 %, а для полупроводниковых приборов и отдельно интегральных схем – соответственно 8,5 и 16,4 %.

Эти проценты, соотнесенные со значительно более высоким объемом производства в США, вырастают в громадные суммы, но и они не всегда дают полную картину, поскольку фирмы стараются не учитывать в своей официальной статистике государственное финансирование НИОКР. А добавьте сюда затраты на техническое переоснащение производств, на строительство новых заводов и т. д.! Ведь темпы устаревания продукции обусловливали и короткий (от трех до пяти лет) жизненный цикл производящего ее оборудования.

Советской электронике средств в американских объемах дать не могли, а требования «догнать и перегнать», да еще увязанные по времени со сроками создания новых систем вооружения, оставались. Правила соревнования с ведущими странами определялись в первую очередь задачами создания современного вооружения, то есть были самыми жесткими, и неравенство условий в расчет не принималось. Это все равно, как в спортивной многодневной гонке требовалось бы превзойти соперника, который раньше стартовал, был сильнее и лучше питался.

И все же разрыв с США в области электроники, даже полупроводниковой, и в качественном, а главное в количественном отношении, сокращался, а по некоторым приборам, например в СВЧ-технике, уровень советских изделий сравнялся, или стал превосходить лучшие зарубежные достижения. К искусному выстраиванию электронной промышленности СССР, рациональному использованию выделяемых средств и самоотверженному труду работников отрасли как главному фактору движения вперед надо добавить постоянную личную инициативу А.И. и его неукротимую энергию по воплощению своих замыслов.

На 1972 г. планировался первый визит в СССР американского президента Р Никсона[325]325
  Запланированный на 1960 год визит Д. Эйзенхауэра не состоялся из-за скандала полета самолета Lockheed U2, сбитого 1 мая под Свердловском ЗРК С-75.


[Закрыть]. Летом 1971 г. за улучшение советско-американских отношений выступали достаточно активно даже «чистые» производители вооружений. Как вспоминал Г. Арбатов: «Гостем моего института [США и Канады] был Чарльз Торнтон. Это создатель и владелец корпорации «Литтон» – семнадцатой в рейтинге военно-промышленных компаний США. Они делали системы управления самолетами, ракетами, массу других самых секретных вещей. При всей нашей подозрительности мне удалось организовать ему хорошую программу пребывания. Правда, для этого пришлось пустить в ход свои связи с Андроповым и Устиновым, а потом и с Брежневым. Торнтон прежде всего хотел посмотреть на сверхзвуковой пассажирский Ту-144. И вот он прилетает в Шереметьево, выходит из самолета, а в отдалении стоит Ту-144. Говорю ему: «Он ждет вас». На борту для Торнтона устроили роскошный ланч. В Ленинграде ему показали электронные производства, в Тольятти – тогда еще строившийся автомобильный завод. В Новосибирске он побывал в Академгородке»[326]326
  Коммерсантъ Власть. № 27 (480). 16.07.2002.


[Закрыть].

В Ленинграде Торнтона принимали на «Светлане». Здесь его сопровождал В.М. Пролейко, а затем в Москве была встреча с министром. Вернувшись в США Торнтон докладывал на высшем совете США 40 минут и 3 часа отвечал на вопросы при норме любого доклада 20 минут. После поездки Торнтона, посетившего предприятия МЭП, американцы изъявили желание включить в программу пребывания президента Никсона в Советском Союзе в 1972 году посещение Зеленограда. Пролейко принимал самое деятельное участие в подготовке этого визита и задним числом записал основные ее этапы.

«20.5.72.

Этапы визита Никсона в МЭП СССР.

Февр. 72. – Шокин – прогнозирует Зеленоград

– Я собираю 30 нач. ГУ и директоров. Задача – достойно показать электронику СССР.

Апр. – Шокин. Совещание с теми же директорами, камерами ТВ, видеомагнитофон, МОП-память на 4096 бит.

Особая проблема – достать гербы всех штатов США (привозит Ильюшин[327]327
  Ильюшин Сергей Васильевич – заместитель министра электронной промышленности СССР.


[Закрыть]).

Гербы из электролюминофоров, ТВ + приемники на ИС, СВЧ печь, ЭВМ всех типов. Опто-рыцарь, потрясающий янтарь из Вильнюса.

18 мая

Вместо моего доклада на коллегии о специализации науки Шокин берет меня одного (опять зависть многих) в Центр. Проходим выставку и весь маршрут.

19–20 мая

Перестраиваю всю выставку. ИС, электроника в:

– товары народного потребления,

– связи,

– ЭВМ, оптоэлектроника

– медицина,

– материалы.

27 мая

– Все оказалось напрасно.

– 2–3 млн рублей вложенных в город Зеленоград: новые дороги, газоны, цветы и деревья, магазины с товарами в подвалах, огромный (больше, чем перед Москвой) щит с надписью «Зеленоград» – всем этим теперь будут пользоваться все.

– Честолюбивые мысли Шокина (выбрали МЭП) для него стали только обедом в Грановитой палате в день приезда 22-го и приемом в посольстве США вчера, 26-го.

– Выставка, которую я построил с ребятами из Зеленограда за 4 дня очень напряженной работы. Выставка получилась очень интересной (см. 20.05.72), все-таки выставки я научился делать.

– Дополнительные топографические занятия студентов МИЭМ’а, собиравшихся устроить Никсону демонстрацию против войны во Вьетнаме и усланных по этому поводу военной кафедрой подальше в лес.

– Прекрасно оборудованный специализированный вычислительный центр с БЭСМ-4, М-220, БЭСМ-6, дисплеями, ребятами в светлых костюмах и девушками в брючных костюмах.

* Завод «Ангстрем» с огромным цехом, выпускающий ИС средней и высокой степени интеграции.

* Завод «Элма» с промышленными интерьерами за стеклом и толковым директором Андр. Юр. Малининым (на «Элме» был установлен телефон прямой связи с Белым Домом.)

* МИЭТ – красивый, современный, оснащенный вуз.

* Завод «Микрон» с мощным машинным проектированием и директором с чингиз-хановскими замашками – Камилем Ахметовичем Валиевым[328]328
  Валиев Камиль Ахметович (1931–2010) – советский и российский физик, академик РАН, доктор физико-математических наук, профессор, научный руководитель Физико-технологического института РАН. В 1965–1978 годах первый директор НИИ молекулярной электроники и завода «Микрон».


[Закрыть].

– Справкой для прессы, которую я подготовил за 16 часов до визита, а за 5 стало ясно, что Брежнев и Никсон решили отложить визит в Зеленоград, т. к. очень успешно (никто не ожидал) пошли переговоры…»

Появление в СССР современной элементной базы позволило перейти к построению электронных систем, не уступавших, а зачастую и превосходивших лучшие мировые образцы. Еще в 1966 году была задумана унифицированная зенитно-ракетная система дальнего действия нового поколения для ПВО страны, ПВО сухопутных войск и ВМФ. По каждому направлению были назначены свои головные фирмы-разработчики при общем руководстве ЦКБ «Алмаз» (тогда «Стрела»). Хотя в дальнейшем в силу разных причин от идеи унификации мало что осталось, но А.А. Расплетин, хорошо знакомый с достижениями электронной техники, принял два принципиальных инженерных решения, определивших облик будущей системы (С-300) во всех ее вариантах (С-300П, – В и – Ф): применение фазированной антенной решетки и интегральных схем. Работа всех компонентов системы должна была быть полностью автоматизирована, а для управления в ее состав включалась мощная цифровая ЭВМ. Идеи для того времени весьма смелые, так как требовали от электронной промышленности СССР сочетания быстрого количественного увеличения выпуска изделий электронной техники с радикальным их качественным совершенствованием.

Окончательное решение, уже не инженерного, а государственного уровня, было принято министрами радио– и электронной промышленности Калмыковым и Шокиным и в отношении микросхем выглядело так: необходимые для С-300 интегральные микросхемы будут нужны всем; разработки поручим Зеленограду; Зеленоград на этой работе вырастет комплексно. В качестве базовой в 1968 году была определена 133-я серия микросхем транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ ИС). Преемник Расплетина Борис Васильевич Бункин вспоминал:

«В начале 1969 года мы вместе с нашей кооперацией выдали технические задания на все необходимые интегральные схемы для устройств и узлов системы. Номенклатура оказалась очень большой. Это были самые массовые интегральные схемы серий 130, 133, 136 и другие очень важные для построения вычислительных машин. Головным в Зеленограде был определен НИИМЭ. Всего по нашим заказам было проведено более 20 ОКР и разработано и освоено в производстве несколько серий микросхем различного назначения и различной степени интеграции. Наши разработчики теснейшим образом работали с разработчиками ИС. Что-то получалось, а что-то приходилось доводить до нужных параметров путем поэтапного продвижения. Принимались совместные решения по отклонению от ТЗ, но без поставок микросхем с отклонениями, мы бы перестали продвигаться вперед. Это был самый правильный путь, потому что мы вместе быстро продвигались, достигая нужных результатов. Благодаря совместной работе бала создана система С-300. Полностью подтвердилась мудрость решения, принятого Валерием Дмитриевичем Калмыковым и Александром Ивановичем Шокиным».

В ходе многолетнего совершенствования системы «С-300» была отработана технология так называемых совмещенных серий ИС, при которой новые микросхемы с повышенным быстродействием и пониженным энергопотреблением имели те же схемы включения, что и их предшественницы. Таким образом, модернизацию аппаратуры можно было проводить без доработки дорогостоящих печатных плат и документации.

Создание фазированной антенной решетки для С-300 тоже потребовало решений государственного уровня. Основным ее компонентом являлся управляемый фазовращатель. 15 тысяч ячеек фазовращателей, установленных на антенной решетке, позволяют менять направление луча радиолокатора чисто электрически, в тысячи раз быстрее, чем механическими приводами. Резко повышается точность наведения, возможно создание нескольких лучей для многоканального наведения. Однако для серийного производства систем С-300 нужно было в год делать примерно 800 тысяч фазовращателей. Задача была новая, ответственность за нее по министерствам еще никем не была распределена.

С проблемами антенны Б.В. Бункин тоже пришел к А.И., который внимательно рассмотрел его предложения и сделал однозначный вывод: столь массовое производство ферритов и ситалловых элементов для фазовращателей никто кроме МЭП наладить не сможет. И это было сделано на предприятиях 7-го главного управления МЭП.

Но это еще не все. Первоначально схемы управления фазовращателями были выполнены с использованием нескольких маломощных логических ИС серии-136, ИС мощного формирователя тока серии-146 и дискретных резисторов и конденсаторов, объединенных на печатной плате. Конструкция была громоздкая, увеличивала габариты антенны, ухудшала ее диаграмму направленности с наличием помех в виде паразитных боковых лепестков, и приводила к большим затратам при серийном производстве. Заказчики из «Алмаза» обратились с просьбой разработать монолитную интегральную схему управления фазовращателем ФА-111, объединяющую в себе как маломощную логическую часть, так и мощные формирователи тока. Эта важнейшая работа не имела ни отечественных, ни зарубежных аналогов. В 1973–1974 годах и эта технологически очень непростая задача тоже была успешно решена в НИИМЭ (главный конструктор Ю.И. Щетинин). Теперь габариты ячеек фазированной решетки практически полностью определялись только размерами ферритового сердечника, трудоемкость их сборки резко снизилась, а показатели надежности резко повысились. Улучшилась и диаграмма направленности антенны.

Государственный подход, проявленный министрами радио– и электронной промышленности в разработках компонентной базы для С-300 позволил решить еще одну грандиозную задачу общенационального уровня, назревшую (вернее, перезревшую) к середине 60-х годов. Речь шла о компьютеризации страны. Несмотря на все постановления правительства и понимание, каким образом нужно это делать (см. выше статью А.И.), годовой выпуск ЭВМ всех типов (а их было два десятка) в СССР едва достигал тысячи штук, а в США он уже был массовым. В декабре 1967 года вышли два постановления ЦК КПСС и СМ СССР по вопросам разработки и освоения серийного производства современных унифицированных ЭВМ. Речь шла о четырех моделях универсальных ЭВМ производительностью до 500 тыс. операций в секунду (система «Ряд», головное предприятие НИЦЭВТ МРП), а также об управляющих и клавишных машинах «Системы АСВТ» (головное предприятие ИНЭУМ Минприбора в Северодонецке). В качестве прототипов были взяты машины фирмы IBM (модель 360) и фирмы DEC (PDP-11).

Решение о разработке ЕС ЭВМ «Ряд» было принято непросто и учитывало не только технические, но и политические моменты. Инициатива шла из ГДР, где уже были начаты работы по IBM —360. Впоследствии к работам по системе «Ряд» были подключены другие страны СЭВ. Число моделей ЭВМ росло, в рамках СЭВ к ним разработали и выпускали широкий набор периферийных устройств. При полной аппаратной и программной совместимости со своими прототипами отечественные аналоги не были их полными копиями. Их конструкция была рассчитана на крупносерийный выпуск с учетом реальных технологических возможностей советской промышленности, требований Министерства обороны, отечественных стандартов. Помимо логических ИС были разработаны и освоены в серийном производстве первые отечественные быстродействующие ИС запоминающих устройств (схем памяти) ЭВМ.

Число заказов на разработку ИС нарастало как снежный ком. На заявочную кампанию 1971 года в один только НЦ поступило уже около 1000 предложений на разработку новых ИС. При этом заказы от предприятий, занимающихся созданием близкой по задачам аппаратуры, могли сильно отличаться, даже если они относились к одному министерству. Военпреды твердо отстаивали позиции своих подопечных фирм, хотя основой для них служили «традиции построения аппаратуры на предприятии», вкусы разработчиков, образцы зарубежной техники. Удовлетворить эти заявки при уровне проектирования и технологии тех лет можно было в лучшем случае на 20 %.

Для выхода из тупиковой ситуации был творчески использован опыт взаимоотношений с заказчиками остальной продукции электронной промышленности, ведь различие в подходах к построению параметрических рядов ИС из хотя бы сотни транзисторов на кристалле и каких-нибудь трансформаторов или приемно-усилительных ламп слишком велико.

Одним из первых успешных примеров работы по параметрическим рядам ИС, которые вбирали в себя как основные схемотехнические решения, присущие данному классу ИС, так и технологию их изготовления, стала как раз увязка номенклатуры приборов ТТЛ ИС для вычислительных комплексов ЕС и СМ ЭВМ с системой С-300. После сложных переговоров такое соглашение с главными конструкторами Ларионовым (а затем В.В. Пржиялковским) и Наумовым было достигнуто. Оно позволило немедленно приступить к разработке программы на 9-ю пятилетку, содержавшей ряды функциональных ИС малой, средней и большой степени интеграции. Благодаря этой работе удалось сдержать безудержный рост номенклатуры ИС, избежать «тирании количества», не дать ей утопить не очень еще окрепшую микроэлектронику и тем самым обеспечить выпуск современной аппаратуры на микросхемах.

Этот удачный опыт постепенно стал распространяться на системы других назначений. Были начаты разработки нескольких наращиваемых рядов интегральных схем для радиосвязи, операционных усилителей, запоминающих устройств и многих других изделий, в каждом из которых было не менее полусотни типов ИС. Одни микросхемы обеспечивали очень высокое быстродействие, но при этом расходовали большую электрическую мощность, другие, наоборот, имели малое энергопотребление, но обладали невысоким быстродействием. Были необходимы и схемы, обладающие средними параметрами. Большую роль в достижении общего согласия сыграли военные из ЦНИИ-22 МО – ведущего института по элементной базе радиоэлектронной аппаратуры военного назначения – и головной организации Министерства обороны, курирующей эти проблемы. Их руководители, генералы Р.П. Покровский, П.И. Сугробов, Е.Я. Чаловский, В.П. Балашов, были и настоящими инженерами.

Смотр новой техники на полигоне в Кубинке. Слева направо: Калмыков, Колесников, Шокин, Устинов, Гречко, (?), Брежнев, Дементьев,(?), (?), Зверев и др. 1972 или 1973 г.

Для выпуска ИС первых типов в нужных количествах были подключены серийные полупроводниковые заводы министерства в Минске, Фрязине, Павловском Посаде, Новгороде. Скоро и этих мощностей стало не хватать, и к освоению технологии ИС были подключены ПО «Светлана», Новосибирский электроламповый завод, тбилисский «Мион», новые полупроводниковые заводы в Баку и Кишиневе, а потом еще и еще…

Когда говорится о подключении завода к выпуску ИС, это означает в первую очередь его переоснащение соответствующим оборудованием. Если для ИС начала 70-х годов характерные размеры элементов составляли 20 мкм, то к середине десятилетия их размеры уменьшились вдвое. Более того, начинался новый этап – переход к субмикронным размерам. Это требовало оптико-механического оборудования с более высокой разрешающей способностью и очередного переоснащения предприятий.

Годные приборы могут получиться, только если весь цикл их изготовления будет идти в чистейшей среде, исключающей загрязнение поверхности кристалла, поэтому производство ИС немыслимо без «чистых комнат». В первых «чистых комнатах», появившихся на предприятиях в конце шестидесятых годов, в 1 м³ воздуха оставалось где-то не более 3,5 тыс. частичек, но для производства сверхбольших интегральных схем такой воздух был уже слишком пыльным и не годился. Все необходимые компоненты «чистых комнат»: фильтры грубой и тонкой очистки с малошумными вентиляторами, создающими ламинарный (безвихревой) поток воздуха в зоне обработки кристалла – были разработаны и выпускались серийно предприятиями МЭП. Такие же требования по чистоте есть и к жидким средам обработки. Если кислоты и другие химические материалы закупались у химической промышленности, с постоянной борьбой за их немыслимую для химиков чистоту, то чистейшая вода для промывки пластин, которая требуется в огромных количествах, вырабатывалась на самих полупроводниковых предприятиях. Их нужно было оснастить системами подготовки деионизованной воды с двойной дистилляцией, замкнутыми контурами ее оборота в трубах из нержавеющей стали, механическими и ионными фильтрами для очистки от примесей, ультрафиолетовой очисткой от бактерий и другой органики, поселяющейся в трубах и пр.

После разделения пластины на отдельные кристаллы трудоемкость изготовления в расчете на отдельный прибор резко возрастает. Нужны совершеннейшие автоматы для посадки кристаллов в корпус, соединения проволокой контактной площадки с выводной рамкой, герметизации и формообразования выводов. Работа такого автомата, по сути являющегося миниатюрным роботом, производит на непосвященного человека фантастическое впечатление.

Последняя стадия полупроводникового производства – технический контроль продукта – для сложной интегральной схемы не могла уже обойтись без дорогостоящего измерительного оборудования с использованием ЭВМ. А.И., прекрасно зная возможности и обязанности МРП, довольно долго упрямо требовал от радистов обеспечения МЭП измерительными системами для интегральных схем, а те под разными предлогами уклонялись. Во всех других подобных случаях А.И. давно махнул бы рукой и взял это на свое министерство, а здесь долго не хотел уступать Калмыкову. Но измерительные комплексы все равно пришлось делать самим, или заказывать за рубежом, в частности в Венгрии. От МРП получали большие ЭВМ, а производство мини-компьютеров, необходимых и для проектирования и для управления производственными линиями, было налажено у себя, в шестом (машиностроительном) главке.

К 1975 году выпуск микросхем вырос по отношению к 1970 в 15,5 раза. Только заводом «Микрон» вместе с «Ангстремом», научившимся делать на кристалле по двадцать тысяч транзисторов, в 1975 году было выпущено 18 млн ИС, половина из которых была с военной приемкой. В 1976 году предприятия министерства выпустили уже почти 300 млн ИС, из которых более 85 % были полупроводниковыми. Они стали основной базой создания всех радиотехнических систем в стране, и каждый год число заявок на новые разработки увеличивалось.

При взаимодействии с заказчиками приборов стали переходить к построению комплексно-целевых программ (КЦП), в которых помимо создания собственно параметрического ряда ИС стали включать разработку базовой технологии, необходимого состава и единиц оборудования, нужных материалов, корпусов, оснастки и т. д. К 1974 году отрасль микроэлектроники развивалась уже главным образом с использованием КЦП. Одна из главнейших называлась «Микропроцессор» и была ориентирована на наиболее важные для текущего момента направления: бортовые ЭВМ для авиации, ракетостроения, кораблестроения, управления станками и технологическим оборудованием.

Среди результатов 1975 года министр отметил в первую очередь именно создание микропроцессора. Из других проблем: «Закончилась организационная перестройка отрасли, аппарат МЭПне будет расширен. Отрасль должна быть гибкой, скомплексированной, самоуправляемой. Производство товаров народного потребления выросло в 3раза, часы, калькуляторы, стереосистемы, квадро-[системы], видеомагнитофоны. Электроника для медицины»[329]329
  Пролейко В.М., дневники, запись за 31 декабря 1975 г.


[Закрыть].

Дальнейший рост сложности аппаратуры, увеличение объема решаемых ею задач, потребовали перехода от комплексно-целевых программ к разработке аппаратурно-ориентированных программ (АОП) – созданию именно тех ИС, которые были необходимы для разработки данной системы. Надо думать, что для разработчиков аппаратных систем появление больших, затем сверхбольших интегральных схем, наконец, микропроцессоров, каждый раз сопровождалось все теми же психологическими кризисами. Хотя уже сама разработка КЦП являлась средством их преодоления, но для лечения применялись и более старые проверенные лекарства – в конце 1975 г. вышел совместный приказ А.И. и нового министра радиопромышленности П.С. Плешакова о разработке и применении микропроцессоров в важнейшей аппаратуре МРП.

Сверхответственные задачи перед электронной промышленностью были поставлены противоракетной обороной страны. Решение задач обнаружения целей и наведения противоракет было возможно только при использовании высокопроизводительных сверхбыстродействующих вычислительных комплексов. Такой супер-ЭВМ был «Эльбрус», разрабатывавшийся в ИТМиВТ под руководством В.С. Бурцева. Для ее построения были необходимы сверхбыстродействующих ИМС ЭСЛ-типа со временем задержки не более 2,0–2,5 нс. По решению Совмина и ВПК в 70-м году МЭП СССР было поручено начать разработку ИС серий 100, 500 и 700. Их ближайшим зарубежным аналогом были ИС фирмы «Motorola» серии МС10000. Один из разработчиков этой серии Н.М. Луканов вспоминал:

«Уже через квартал были изготовлены на сверхтонких слоях 6 типов ИМС, точно скопированных по топологии с ИМС США МС10000.

Наши ИМС в пластмассовых корпусах Валиев К.А. и Колесников В.Г. повезли на фирму «Моторола» в США.

Вернувшись из загранпоездки, Валиев К.А. рассказал:

– По ходу разговора чувствовалось, что американцы не верят, что мы владеем технологией изготовления ИМС высокого быстродействия. В какой-то момент я достал из портфеля большую упаковку с ИС серии 500, высыпал их на стол и заявил, что они могут их испытать.

Мы почувствовали их недоумение.

На следующее утро ИС были тщательно проанализированы по статическим и динамическим параметрам, а также были сделаны фотографии кристаллов, сняты профили и Ожеспектры.

– Ваши схемы действительно имеют более высокое быстродействие по сравнению с МС10000, у Вас хорошая технология. Но топология Ваших схем похожа один к одному на топологию наших схем, – с видимым удовольствием подвел итог представитель фирмы.

Наступило неловкое молчание по обе стороны стола.

– А мы специально изготовили ИС по нашей технологии, но по Вашей топологии, чтобы продемонстрировать возможности нашего производства, – подвел сокрушительный итог Валиев».

Освоение серийного производства микросхем серий 100, 500, 700 с приемкой заказчика стало важнейшей задачей на конец пятилетки. В июле 1974 года прошла коллегия МЭП по этому вопросу, за которой последовал соответствующий приказ министра. Курирование этих важнейших разработок было поручено первому заместителю министра В.Г. Колесникову.

Прогресс электроники затрагивал не только интегральные схемы. На основе изучения потребности отечественной промышленности, анализа зарубежных ИЭТ и прогноза их развития готовились программы на пятилетку по всем их видам. Во многих случаях автором и инициатором развития новых направлений электронной техники был сам А.И. Он постоянно требовал, чтобы задания на новые разработки соответствовали или опережали уровень зарубежных аналогов, были выше возможностей текущего дня. И это приносило свои плоды. Советские приборы СВЧ техники, с которыми А.И. Шокин имел дело уже три с лишним десятка лет, по своим параметрам все чаще выходили на уровень лучших зарубежных образцов, а то и просто стали превосходить их. Правда, как сказал однажды С.И. Ребров по поводу взаимодействия МРП – МЭП: «Они не могут, мы не знаем. Мы не знаем, что им нужно, они не знают, что мы можем».

В 60-70-х гг. был создан новый класс приборов – пролетные усилительные клистроны с низковольтной импульсной модуляцией по специальному электроду в электронной пушке. Их появление позволило резко поднять частоту повторения импульсов излучения многих бортовых и наземных радиолокационных станций. В 70-е годы была создана лампа бегущей волны «Чегет», способная работать и в импульсном, и в непрерывном режиме с одинаковой средней мощностью. Благодаря ее появлению открылось новое научно-техническое направление бортовых многофункциональных передатчиков РЛС со значительно улучшенными массогабаритными и другими характеристиками для самолетов-истребителей.

70-е годы можно характеризовать как период формирования полной и достаточной номенклатуры по всем классам конденсаторов и резисторов. При разработке конденсаторов основной упор делался на получение большей емкости при меньших габаритах за счет освоения новых материалов и технологий. К середине 70-х годов резко выросла потребность в подстроечных резисторах. Закрыть ее можно было только интенсивными методами. Для этого нужно было перейти на керметные резисторы, изготавливаемые методами интегральной технологии, более технологичные, поддающиеся автоматизации на всех этапах технологического цикла и исключающие использование дефицитной микронной проволоки. Разработка керметных резисторов и резистивных микросхем приказом министра были поручены НИИЭМП (директору А.И. Иванову) и ОКБ при Первом московском заводе резисторов (начальнику А.И. Антоняну). Вскоре на заводах 4-го ГУ (начальник Ю.П. Поцелуев) было налажено их производство в необходимых стране объемах.