Текст книги "Александр Иванович Шокин. Портрет на фоне эпохи"

Автор книги: авторов Коллектив

сообщить о нарушении

Текущая страница: 41 (всего у книги 55 страниц)

Несколько позже для показа возможностей электроники влиятельным руководителям уже в масштабе страны была организована еще одна выставка ГКЭТ. Экспонаты делились по триаде: изделия электронной техники – специальные материалы для их производства – специальное технологическое оборудование. На выставку, носившую закрытый характер, приглашались сотрудники отрасли, Министерства обороны, других оборонных комитетов. В феврале 1964 года А.И. Шокин принял здесь нового председателя ВПК Л.В. Смирнова, сменившего на этом посту Д.Ф. Устинова. Побывала здесь и большая делегация Академии наук во главе с президентом АН СССР М.В. Келдышем.

Понимая важность хорошей организации аналитической, информационной и пропагандистской работы, А.И. Шокин добился создания в системе комитета специального предприятия этого профиля по типу Бюро новой техники в Комитете по радиолокации. Сам он называл его «Домом электроники». 19 августа 1964 года председатель ГКЭТ подписывает приказ об организации ЦНИИ технико-экономических исследований и научно-технической информации по электронной технике (ЦНИИ «Электроника»).

Вплотную занявшись прикладной наукой в ГКЭТ, А.И. прежде всего решил навести порядок в новых разработках. Им было введено в обязательную практику вести их строго в пределах дискретных параметрических рядов, составленных с учетом достижений науки и техники с исключением необоснованных затрат на разработки приборов, отличающихся друг от друга не по принципиальным параметрам. Этот вопрос министр тоже поднял на заседании Коллегии 13 марта 1964 г.: «Преимущества базовых конструкций в разработке ИЭТ: сокращение сроков ОКР, ускорение внедрения в производство, сокращение номенклатуры, значительный экономический эффект».

Конечно, параметрические ряды были известны и до него; новым здесь было то, что дискретность здесь была многомерной, сразу по сочетанию многих параметров. Помимо резкого сокращения номенклатуры тем самым научно-исследовательским институтам и конструкторским бюро ГКЭТ были созданы условия для проведения разработок на основе прогрессивных базовых конструкций, унифицировать исходные материалы для различных приборов данного ряда, конструкции их деталей и технологические принципы изготовления. Плодами этой политики мы пользуемся до сих пор. Так, номенклатура конденсаторов всех классов, разработанная в 60-е годы одним из старейших институтов отрасли – «Гирикондом», большей частью существует и в настоящее время, хотя, конечно, все классы и типы конденсаторов существенно модернизированы и усовершенствованы.

Для того чтобы выстроить всю отрасль, пока не хватало главного – заводов, и об этом даже говорить запрещалось. И все-таки А.И. не был бы самим собой, если бы строго следовал только чьим-то линиям, а не государственным интересам, как понимал их он сам (а он их хорошо понимал, лучше многих).

Председатель ГКЭТ поставил целью и в конечном счете добился в правительстве ее выполнения – создать при каждом (!) НИИ и КБ опытный завод, а не опытное производство, как это повсеместно было в других ведомствах. Хотя и опытный, но завод, имея собственную ответственность за выпускаемое изделие, сразу предъявляет к нему, к его технической документации свои требования, заставляя разработчиков гораздо более глубоко продумывать пути разрешения возникающих противоречий уже на стадии изготовления опытных партий. В то же время территориальная и административная близость (как правило, обе структуры имели одного директора) позволяла достаточно оперативно разрешать конфликты и вносить необходимые изменения и добавления в документацию до передачи серийному заводу. Находящееся же непосредственно в составе научных учреждений и не имеющее нужного набора специалистов-производствен-ников, опытное производство не было способно даже сформулировать свои замечания к документации. Когда она попадала серийщикам, да еще в другом городе, или даже в другой республике, да подчиненным совнархозу, у руководителей которого голова подчас болела от совсем других причин, то предсказать печальную судьбу нового изделия было совсем не трудно.

А Никита Сергеевич Хрущев считал по-другому. Вот его слова: «Созданные комитеты по науке – правильные. Но, смотрите, здесь существует одна опасность, когда говорят, что эти комитеты отвечают за производство. Эти комитеты могут стать отраслевыми министерствами, и они начнут командовать, то есть они возродят все те уродства, которые у нас были. Что значит придать функцию ответственности в работу завода? У комитетов сейчас мозги не перевернуты, особенно у тех, которые были министерствами. Нельзя допустить, чтобы возродилось все то, от чего мы отказались. Этого делать нельзя. Управлять должны люди на местах – Советы народного хозяйства, а наука должна быть централизована, разработка проектов централизована. А управлять надо на территориальной основе <…>»[288]288
  Президиум ЦК КПСС. 1954–1964. Черновые протокольные записи заседаний: Стенограммы. Постановления: 3 т. Т.3: Постановления 1959–1964 / Гл. ред. А.А. Фурсенко. – М.:РОССПЭН, 2008. – С. 285. Записка начиналась словами: «За последнее время участились случаи руководителей Госкомитетов в Правительство и в партийные органы с просьбами о передаче в ведение Госкомитетов ведущих промышленных предприятий и конструкторских организаций Ленинградского совнархоза». Помимо «Светланы» ГКЭТ (М.М. Федоров) ходатайствовал о передаче завода им. Энгельса и ОКБ-960. Кроме того, в записке фигурируют Госкомитет по судостроению, по использованию атомной энергии, по химии.


[Закрыть].

А.И., на жизненном пути которого была не одна сотня изделий, созданных с нуля и дошедших до серийного выпуска, прекрасно знал все очевидные и скрытые преграды на пути новой техники к потребителю, в особенности на очень скользком пограничном участке между научным исследованием и производством. Да и другие это понимали. Тот же Ф.Р Козлов в выступлении на ХХ съезде говорил: «Изучение работы научно-исследовательских институтов и конструкторских бюро показывает, что наиболее эффективно внедряются в производство предложения, разработанные теми научно-исследовательскими институтами и конструкторскими бюро, которые работают на базе предприятий или имеют свою собственную производственную базу». Многие понимали, да не все решались и добивались, а вот Шокин проводил в жизнь. Например, в 1959 году, еще в ГКРЭ, в Пензе был создан институт, по изучению, исследованию и разработке радиодеталей и разработке новых методов конструирования и технологии их изготовления (ныне НИИ электромеханических приборов), а опытный завод при нем «с целью быстрейшего внедрения разработок и удовлетворения нужд промышленности в новых изделиях» создается в июле 1962 года уже приказом ГКЭТ, т. е. Шокина.

Несмотря на доносы типа того, который первый секретарь Ленинградского обкома В.С. Толстиков и председатель Ленсовнархоза Антонов написали в 1962 г. Хрущеву по поводу обращения А.И. Шокина передать в ведение ГКЭТ лидера электроники завод «Светлана», он даже серийный завод, первый, который был полностью с самого начала спроектирован для выпуска полупроводниковых приборов, сумел-таки подчинить своему комитету, не отдав совнархозам[289]289
  Козлов Ф.Р. Выступление на ХХ съезде КПСС / ХХ съезд КПСС: Стенографический отчет. Т. 1. – М.: Госполитиздат, 1956.


[Закрыть]. Построен этот завод был, конечно же, во Фрязине. А.И. Шокин пошел на небольшую хитрость – в техническом обосновании назвал его опытно-показательным, как производственную базу для набирающих силу НИИ «Пульсар» и НИИ «Сапфир». Более того, ему удалось получить заодно инвалютные средства на приобретение для завода кое-какого импортного технологического оборудования.

Но Шокин и на этом не остановился, и 17 июля 1964 г. (за три месяца до октябрьского пленума ЦК, снявшего Хрущева) А.И. Шокин дал задание подготовить обращение в ЦК КПСС о необходимости передачи заводов СНХ в ГКЭТ в связи с их неуправляемостью. Что было бы с транзисторизацией электроники в нашей стране, а тем более с микроэлектроникой, если бы и в ГКЭТ слепо держались производственной политики «в свете решений»?

Завод во Фрязине появился очень вовремя. В 1962 году в НИИ-35 в отделе Б.В. Малина уже был создан технологический участок для производства транзисторов по планарной технологии. А.И. уделял этому участку настолько исключительное внимание, что установил с ним прямую телефонную связь. Часто, почти еженедельно бывая здесь, он настоятельно проводил курс на создание именно производственной линии, объясняя гордым от своих достижений разработчикам и технологам опасность кустарщины. Он сразу же начал подключать к работам другие организации для создания необходимого комплекта оборудования. Неординарность ситуации была в том, что отец Б.В. Малина возглавлял в то время в ЦК Общий отдел и имел право прямого доклада Хрущеву Наверное, это обстоятельство пошло на пользу микроэлектронике, но председателю ГКЭТ нужно было быть все время начеку.

Б.В. Малин вспоминал: «Осенью 1962 года, когда впервые вскрыли корпус интегральной схемы 5М-51 в кабинете у директора НИИ-35 А.А.Маслова и взглянули на нее через микроскоп, Маслов воскликнул: «И кому это надо?!»… Буквально на следующий день состоялась демонстрация этой ИС председателю ГКЭТ А.И.Шокину. Он выслушал доклады, посмотрел на схему в микроскоп и сказал: «Воспроизвести 1: 1, без всяких отклонений. Даю вам срок 3 месяца». Я, по молодости, не выдержал и рассмеялся. «Вы что, смеетесь? Отвыкли от наших темпов там у себя в Америке? Я, член ЦК[290]290
  А.И. Шокин в это время был кандидатом в члены ЦК.


[Закрыть], сказал: «Воспроизвести» – значит, воспроизведем! А вы, чтобы не смеяться, будете у меня главным конструктором и будете мне каждый месяц докладывать на коллегии».

Потом, подумав немного, А.И. Шокин все-таки спросил: «А сколько, вы считаете, надо?» Мы ответили, что надо 3 года. Кончался 1962 год. Действующие схемы из НИИ-35 были А.И. Шокину продемонстрированы в 1965 году, опытное производство подготовлено в специальном цехе НИИ-35 в 1964 году, серийный выпуск освоен на Фрязинском опытном заводе с военной приемкой в 1967 году[291]291
  Выделено автором настоящей книги.


[Закрыть]. Основным заказчиком был комплекс М.С. Рязанского, где схемы устанавливались в баллистические ракеты, в аппаратуру для посылки на Луну и Марс»[292]292
  Малин Б.В. Место для Зеленограда выбрала Москва. Хрущев выделил на строительство Научного центра четыре тонны золота / Зеленая ветвь Москвы.


[Закрыть].

Вопросы использования полупроводниковых приборов в аппаратуре стояли очень остро, и часто дело доходило до скандалов (а скандалы в случаях отказов какой либо ракетно-космической аппаратуры бывали с таким накалом, что жалобы шли к самому Хрущеву). А.И. Шокин, – сам системщик – быстро понял, что многие наговоры на низкое качество и ненадежность полупроводниковых приборов происходят от неопытности разработчиков аппаратуры, не разобравшихся в их особенностях и пытавшихся обращаться с ними как с привычными радиолампами. Чтобы помочь им, и в то же время реабилитировать от незаслуженных наветов разработчиков диодов и транзисторов, А.И. 22 мая 1962 года на коллегии поручил: «Разработать руководство по применению ИЭТ в РЭА различного назначения и перечни разрешенных для применения ИЭТ, не допуская применения устаревших ИЭТ».

Среди них были «Указания по применению полупроводниковых приборов». Документ готовился долго, и когда А.И. Шокин наконец получил его в декабре, то изучил внимательнейшим образом. О том, насколько к этому времени он глубоко разобрался с новейшей техникой, и в то же время о громадном опыте работы с потребителями, понимании не только технической, но и психологической основы возникновения конфликтов, свидетельствуют его замечания. Например, в первой фразе во «Введении»: «Полупроводниковые приборы в современных радиотехнических устройствах работают в широком диапазоне частот – от сверхвысоких до инфразвуковых; обнаруживают такие слабые сигналы, к которым не чувствительны другие электронные приборы; управляют мощностями, измеряемыми киловаттами», он вычеркнул все окончание после первой точки с запятой и поставил большой знак вопроса. Действительно, вторая часть логически не связана с первой (первая существенна для всех сфер применения, а вторая сама описывает области применения). Или фразу «необходимо, чтобы паяльник не перегревался» он исправил на «паяльник должен иметь стабилизатор f <температуры>», причем f дважды подчеркнуто. В конце он написал: «Надо дать перечень литературы о схемах на ппп <полупроводниковых приборах > и рекомендовать их.

– Сборники подруководств.<ом>т. Федотова[293]293
  Имеются в виду сборники статей «Полупроводниковые приборы и их применение» под ред. Я.А. Федотова, издававшиеся с 1956 года. До 1975 года вышло 28 таких сборников, в дальнейшем объединенных с «дочерним» сборником «Микроэлектроника».


[Закрыть],

– труды харьковских и киевских военных спец.<иалистов>,

– американские и т. д.»

Общий дух поправок и комментариев А.И. был нацелен на то, чтобы внедрить потребителям полупроводниковых приборов четкую мысль: при конструировании радиоаппаратуры надо строго следовать настоящим «Указаниям»; любое отклонение есть дорога к ее отказам. Общая оценка документа была записана на обложке:

«Т. Мартюшову К.И., т. Федотову Я.А., т. Петрову Л.А., т. Трутко А.Ф.

Плохо отредактировано. Очень плохо, беззубо написано введение. Неужели вы не способны это сделать или найти грамотных людей? Больше 6месяцев не можете довести дело. Пригласите для редакции специалистов из военных академий (Харьков, Киев). 19.XII. А. Шокин».

Ответственным за доработку был назначен Я.А. Федотов, (который сохранил этот уникальный экземпляр и любезно предоставил его автору) и в 1963 году документ вышел в свет, но уже под названием «Руководство…».

Хотя будущее боевой и бытовой техники виделось только с применением полупроводниковой техники, но пока и то и другое по-прежнему продолжало потреблять электронные лампы, так как первые транзисторы открывали перед создателями аппаратуры весьма скромные возможности и могли взять на себя лишь некоторые функции электронных ламп. Не было транзисторов, устойчиво работавших на средних и коротких волнах, а уж о транзисторах для ультракоротких (метровых), а тем более дециметровых волн поначалу и говорить не решались. Многим специалистам эти диапазоны казались навсегда закрытыми для полупроводниковой техники. Не существовало также транзисторов, которые могли бы усиливать сигналы низкой (звуковой) частоты до мощности 3—10 Вт (примерно такую мощность должны были давать последние каскады усилителей приемников, телевизоров, магнитофонов). И уж совсем неприступным казалось создание мощных транзисторов для усиления высоких частот.

Цикл разработки такого сложного комплекса, как, например, боевой самолет, составлял семь-восемь (а теперь и десять-пятнадцать) лет, и к моменту его выхода в серию элементная база бортовой аппаратуры оказывалась морально устаревшей. Обслуживание ранее выпущенной техники также требовало продолжения выпуска радиоламп, и быстро уходившая вперед в своих новых разработках электроника в серийном производстве была куда более консервативной. Неудивительно, что лампы еще долго сохраняли монополию во многих областях радиоэлектроники, и их совершенствование оставалось для ГКЭТ важной задачей. Так, под руководством Б. И. Горфинкеля на заводе ПУЛ в Саратове 1961–1962 годах была проведена работа по повышению долговечности ряда приемно-усилительных ламп уже до 10 тысяч часов. Специально для новых моделей унифицированных телевизоров в 1963 году заканчивается разработка серии новых ламп с хорошими электрическими параметрами, конструкции ламп и технологические процессы их изготовления обеспечивали долговечность не менее 3 тысяч часов. Новый Калужский радиоламповый завод (КРЛЗ, «Восход») начал выпуск продукции – пальчиковых приемно-усилительных радиоламп только декабре 1960 года. Становлению этого предприятия, продукция которого нашла самое широкое применение в специальной технике и бытовой аппаратуре, А.И. Шокин уделял пристальное внимание. Начальником строительства, а затем первым директором завода был назначен Р.Р. Зайнетдинов.

Нужно отметить, что в таких традиционных областях электроники, как электровакуумные приборы, советская электронная промышленность в конечном счете достигла очень высокой надежности. Это относится и к лампам, и к черно-белым кинескопам. Недаром некоторые из выпущенных тогда телевизоров и радиоприемников продолжают служить своим

хозяевам до сих пор. Последний всплеск потребности в приемно-усилительных лампах произошел в середине семидесятых годов, когда начался массовый выпуск цветных телевизоров.

На примере приемно-усилительных ламп за долгие годы их выпуска был также накоплен огромный опыт стандартизации и унификации изделий электронной техники, положенный впоследствии в основу технической политики Министерства электронной промышленности. Так вот: на основе всего двух базовых конструкций советской промышленностью ежегодно выпускались десятки миллионов штук миниатюрных приемно-усилительных ламп 134 типов. Всего же на специализированных заводах изготавливалось 600 типов приемно-усилительных ламп, которыми полностью удовлетворялась потребность народного хозяйства. Для сравнения: в США разными фирмами для тех же целей производилось 12 тысяч типов электровакуумных приборов.

Для того чтобы применить этот опыт к приемным и передающим трубкам, министр нашел аргументы и убедил правительство «в порядке исключения» принять постановление о создании на базе ленинградского ОКБ ЭВП головного института, ответственного за создание новых передающих и приемных трубок и их качественные параметры. Этим постановлением за № 121 от 29 января 1963 г. и приказом ГКЭТ № 50 от 26 февраля того же года создается ВНИИ электронно-лучевых приборов во главе с директором Г. С. Вильдгрубе.

Председатель ГКЭТ приложил много усилий для того, чтобы как можно быстрее претворились в жизнь достижения самой новой области науки – квантовой электроники, о чем было написано еще в упоминавшейся программной статье в «Коммунисте». Наша страна имела здесь приоритет, увенчанный Нобелевской премией А.М. Прохорову и Н.Г. Басову, а затем подтвержденный Нобелевской премией Ж.И. Алферова.

Началось все с создания квантовых усилителей СВЧ-диапазона – мазеров. Их главным преимуществом перед традиционными электровакуумными приборами был чрезвычайно низкий уровень шумов. Это и определило области применения, переживавшие как раз период бурного развития: радиоастрономия, радиолокация космических объектов, связь и телевидение через искусственные спутники Земли и др. Работы над созданием мазеров начались в СССР в 1957–1958 годах в институтах Академии наук и ГКРЭ, впоследствии отошедших в ГКЭТ

Уже в 1958 году предприятия электронной отрасли освоили выпуск опытных партий элементов из рубина для квантовых усилителей, выращенных классическим методом Вернейля. Задачи подобного типа раньше в технике не встречались: нужно было изготовить монокристаллические элементы значительных размеров (до 200–500 мм длиной и до 12–18 мм диаметром), с высокой степенью совершенства кристаллической решетки и однородностью на уровне оптической. Но для электронщиков проблемы создания новых материалов, в том числе и кристаллических, не были внове, и эта задача совместными усилиями академических и оптических институтов была решена успешно и очень быстро.

Квантовые усилители дециметрового диапазона оказались только быстро отыгранной прелюдией к созданию первого квантового генератора света – рубинового лазера (1960 год, США, Мейман). В нашей стране созданием лазеров активно занялись уже после образования ГКЭТ. Постановлением ЦК и Совмина от 24 марта 1962 года между оборонными госкомитетами были проведены границы ответственности в квантовой электронике и лазерах. За твердотельные лазеры (то есть лазеры на основе ионных кристаллов: рубина, граната и др.) стал отвечать Госкомитет по оборонной технике, традиционно занимавшийся оптикой, ГКЭТ – за полупроводниковые и газовые лазеры (относящиеся к газоразрядным приборам), а также за источники световой накачки. Последнее направление развивалось в созданном по этому постановлению КБ источников высокоинтенсивного света. КБИВИС создавалось на базе исследовательского коллектива, выделенного из МЭЛЗа. Возглавлял новое предприятие, строившееся в Зеленограде, доктор технических наук Э.С. Маршак – сын известного советского поэта. Написанная им монография «Импульсные источники света» вобрала в себя богатейший опыт, накопленный по этому виду газоразрядных приборов, но после смерти своего знаменитого отца младший Маршак решил оставить науку. А предприятие, преобразованное впоследствии в НИИ «Зенит», стало одним из ведущих в квантовой электронике.

Завод полупроводниковых приборов Воронежского совнархоза. Пояснения дает главный инженер В.Г. Колесников. Первый слева – А.Ф. Трутко. 1962 г.

Еще одним предприятием, созданным в ГКЭТ по тому же постановлению для развития квантовой электроники, был НИИ приборостроения (впоследствии НИИ «Полюс»). С момента создания его возглавлял М.Ф. Стельмах. Пройдя фронт, Митрофан Федорович пришел в 108-й институт, где успешно работал над приборами СВЧ-техники. На посту руководителя института совершенно новой направленности в тесном взаимодействии с академиками А.М. Прохоровым и Р.В. Хохловым ему удалось сформировать очень сильный научный коллектив создателей лазерной техники.

Так же, как и во всех других случаях, А.И. неустанно прививал ученым и специалистам нового направления установку на конечный результат и быстрое внедрение научных идей в практику. Созданная в ГКЭТ мощная технологическая база по материалам и специальному оборудованию, позволила без особых капитальных вложений на создание новой инфраструктуры достигнуть быстрых успехов и по твердотельными лазерам. Требования к качеству рубина в этом случае были намного выше, чем для мазеров, но в 1961–1962 годах в ГКЭТ первые лазерные элементы были изготовлены. Пока основная часть кристаллов рубина производилась классическим методом Вернейля (кристаллизацией мелкодисперсного порошка в газовом пламени), так же как для мазеров или часовых камней, но все основные стадии процесса претерпели существенные изменения. Были созданы новые типы кристаллизаторов, усовершенствованы методы производства исходного порошка (пудры) и др. Все это дало возможность получать кристаллы рубина высокого качества, позволившие создать лазеры с высокой эффективностью (к.п.д. до 1,2–1,4 %). Технология и оборудование были отработаны до такого уровня, что через несколько лет машиностроителями МЭПа для Кироваканского завода Минхимпрома в Армении было разработано и изготовлено несколько единиц высокопроизводительных автоматических линий для выращивания часовых и ювелирных рубинов, годовой выпуск которых измерялся центнерами.

Помимо рубина и рутила были разработаны методы выращивания различных кристаллов, активированных неодимом, для лазеров с низким порогом генерации. Наконец, в 1965–1966 годах была разработана технология выращивания кристаллов алюмоиттриевого граната с примесью неодима – материала для твердотельных лазеров непрерывного действия.

Другим классом специальных материалов для квантовой электроники являются нелинейные и электрооптические кристаллы для преобразования частоты и управления пучком лазеров: КДП, ДКДП, АДП др., выращиваемые из водных растворов. Их первые образцы на предприятиях ГКЭТ были получены в 1962 году. Были разработаны методы получения крупных образцов указанных кристаллов с высокой оптической однородностью, создана новая автоматическая аппаратура для выращивания водорастворимых кристаллов, например универсальный кристаллизатор с программным отбором конденсата, с помощью которого вырастили монокристаллы высокой оптической однородности весом до 1,5 кг. В результате в нелинейной оптике были получены рекордные данные, в частности по генерации высших гармоник, и создан перестраиваемый параметрический оптический генератор на кристалле КДП.

Закономерно и типично то, что уже в конце 1963 года НИИ «Полюс», размещенный пока еще на временных площадях, создал макет первой лазерной установки на основе рубина и провел с ее помощью поиск технологических применений. Через год была изготовлена первая партия лазерных технологических установок, которые передали в различные учреждения и на предприятия для изучения возможных областей использования лазерной обработки материалов.

Возвращаясь к проблеме отношений с совнархозами, следует заметить, что А.И. Шокин очень ответственно подходил к вопросам поддержания уровня заводов электронного профиля, хотя формально они ему не подчинялись. Став председателем ГКЭТ, он сумел решить еще одну проблему, не дававшую спокойно жить директорам электронных заводов, особенно находившихся под местным руководством. Неизбежные технологические потери в производстве ИЭТ никак не укладывались в существовавшую систему планирования. А.А.Захаров об этом написал:

«Вспоминается <…> одно выступление в Таврическом дворце, когда первый секретарь обкома партии в докладе упомянул о большом браке при выпуске изделий на заводе «Светлана», где я был директором. Это было в 1948—49 гг. Выступление секретаря обкома в Ленинграде увязывалось с отпуском средств на жилстроительство и указывалось, что при ликвидации потерь от брака можно построить в несколько раз больше жилья. Пришлось выступать с оправданием. Но никто не хотел понять, что такое технологический брак в электровакуумной промышленности, ее сложность.

<… > Горком партии <… > поручил директору института АН СССР <ЛФТИ> академику Иоффе проверить завод и выработать предложения по уменьшению производственного брака. Закончив осмотр завода с группой специалистов от института, он заявил, что никаких предложений по уменьшению брака дать не может из-за сложности технологических процессов. И только много позже, когда организовался Комитет электронной техники и позже Министерство электронной промышленности, первый председатель комитета, первый министр Александр Иванович Шокин при назначении на должность оговорил «на верхах» признание неизбежности частичного технологического брака»[294]294
  Захаров А.А. Полвека в электронике. – М.: ИД «Медпрактика-М», 2012. – 236 с. – С. 39–40.


[Закрыть].

С этого момента во всех новых разработках стал закладываться такой параметр будущего изделия как «процент выхода годных». В своих поездках по стране по действующим или строящимся институтам и КБ своего комитета А.И. Шокин обязательно посещал серийные заводы, старался, используя свой авторитет и влияние, оказать им помощь в решении вопросов в местном совнархозе.

Таких поездок было много. В ноябре 1963 года – на Украину. Во Львове создавалось мощное производство кинескопов. В Киеве А.И. посетил не только свои предприятия, но и техникум при заводе «Арсенал»: изучал опыт подготовки кадров.

Еще более важным было решение вопросов по новому строительству заводов электронной промышленности. Для результативного их обсуждения с местными властями А.И. Шокин в эти поездки отправлялся часто не один, а с первым заместителем председателя ВПК Г.А. Титовым. Так, они ездили в 1963 году по Прибалтике, а в мае 1964 года вместе с А.А. Захаровым состоялась их большая поездка по Кавказу: Пятигорск, Нальчик, отличавшихся особо чистым, свободным от пыли воздухом, далее по Военно-Грузинской дороге, подъем по канатной дороге на Эльбрус, Тбилиси, далее в Армению, в Кировакан и мимо озера Севан – в Ереван. Хорошая была поездка! Хотя А.И. Шокин в первый раз в полной мере познал кавказское гостеприимство, но о деле не забыл. Начали в Грузии делать интегральные схемы, высококачественную бытовую радиоаппаратуру, а в Армении – разъемы, прецизионное спецтехнологическое оборудование и многое другое.

Вот так. Наука наукой, а о производстве Шокин помнил всегда.

А в США уже 1962 год ознаменовал начало массового выпуска интегральных схем, хотя объем их поставок заказчикам и составил всего лишь несколько тысяч. Сильнейшим стимулом для развития приборостроительной и электронной промышленности на новой основе явилась ракетно-космическая техника. Американцы пока не имели возможности в ближайшем будущем создать такие же мощные межконтинентальные баллистические ракеты, как советские, да их военным это и не понадобилось: для увеличения заряда они пошли на максимальное сокращение массы носителя, прежде всего систем управления, за счет внедрения последних достижений электронной технологии. Фирма Texas Instrument заключила крупный контракт с военными на разработку и изготовление серии из 22 специальных схем для программы создания ракет «Минитмен». Одновременно фирма Fairchild также заключила значительные контракты с НАСА и рядом изготовителей коммерческого оборудования.

У нас в стране разработчики радиоаппаратуры тоже искали неординарные пути ее миниатюризации. Весной 1962 года специалисты НИИРЭ обратились с просьбой к Рижскому заводу полупроводниковых приборов найти способ повышения плотности компоновки аппаратуры, в частности было предложено поискать пути реализации однокристальной многоэлементной схемы типа 2НЕ-ИЛИ – универсальной для построения цифровых устройств. Решать эту задачу довелось 24-летнему инженеру Юрию Валентиновичу Осокину. Перед ним стояли принципиально новые задачи: разместить в одном кристалле два транзистора и реализовать в объеме кристалла германия (кремниевой технологии на РЗПП тогда не было) два резистора, исключив их паразитное взаимное влияние. Еще никто в стране не решал такие задачи, а в мире это сделали только Дж. Килби и Р Нойс, но никакой информации об их работах в РЗПП и НИИРЭ тогда не было. Рижане успешно решили эти задачи, причем совсем не так, как это сделали американцы, и уже осенью 1962 г. были получены первые образцы германиевой микросхемы 2НЕ-ИЛИ, получившей заводское обозначение Р12-2[295]295
  Малашевич Б.М. 50 лет отечественной микроэлектронике // Очерки истории российской электроники. Вып. 5. – М.: Техносфера, 2013. – С. 375.


[Закрыть]. К концу 1962 г. РЗПП выпустил около 5000 ИС Р12-2. В сентябре 1963 года А.И. Шокин (вместе с Г.А. Титовым) посетил РЗПП, внимательно осмотрев все производственные цеха завода, испытательную базу, ознакомился с ходом изготовления линии «Аусма», технологией и опытным производством транзисторной сборки Р12-2. Шокин поручил руководителям управлений ГКЭТ обеспечить завод современным оборудованием и испытательными средствами. Александр Иванович особое внимание уделил наращиванию производства ТС тип Р12-2 с тем, чтобы разработчики радиоаппаратуры научились быстрее применять миниатюрные ИЭТ [296]296
  Осокин Ю.В. О Рижском заводе полупроводниковых приборов и ПО «Альфа» // Очерки истории российской электроники. Вып. 2. Электронная промышленность СССР, 1961–1985: К 100-летию А.И. Шокина / Под ред. В.М. Пролейко. – М.: Техносфера, 2009. – С. 375.


[Закрыть]. Они производилась до середины 1990-х годов (с 1969 г. – под названием 1ЛБ021) до нескольких миллионов в год.

Интегральные схемы становились главными радиокомпонентами, а в ГКЭТ на эту тематику было всего два НИИ и несколько КБ. От А.И. Шокина требовались экстраординарные действия по расширению научной базы микроэлектроники, концентрации усилий многих людей – ученых, инженеров, рабочих, техников, руководителей. И он их предпринял.

Основная идея состояла в создании комплексного, замкнутого Научного Центра микроэлектроники из ряда сосредоточенных в одном месте научно-исследовательских институтов с заводами, которые бы работали один на другого, создавая последовательную цепочку для получения интегральных микросхем и аппаратуры на их основе. Нигде в мире подобных комплексов микроэлектроники тогда не было. Сам по себе подход к комплексному решению научно-технических задач большого государственного значения и развития социальной структуры, т. е. строительство закрытых городов, был не нов. В те годы он широко применялся при создании атомной промышленности, ракетного полигона в Тюра-Таме, где вырос город Ленинск. Этот опыт был хорошо известен А.И. и был им теперь творчески использован и блестяще воплощен. Организационная структура управления научными коллективами, передающими свои результаты в производство, должна была быть подвижной, быстро реагировать на изменение требований общества и времени. И подходящее место, где можно создать такой центр, имелось.