Текст книги "Большая Советская Энциклопедия (ПЛ)"
Автор книги: Большая Советская Энциклопедия
Жанр:
Энциклопедии
сообщить о нарушении
Текущая страница: 7 (всего у книги 38 страниц)
Плакетка
Плаке'тка (франц. plaquette, уменьшительное от plaque – пластинка, дощечка), 1) произведение медальерного искусства, отличающееся от обычной медали прямоугольной (или близкой к прямоугольнику) формой. 2) Пластинка (из металла, керамики и др. материалов) с рельефным изображением, предназначенная для украшения мебели, бытовых предметов и т.д.
Плакетка. Зейле В. «Скульптор К. Земдега». Бронза, литьё. 1964.
Плакирование
Плакирова'ние (от франц. plaquer – накладывать, покрывать), нанесение на поверхность металлических листов, плит, проволоки, труб тонкого слоя др. металла или сплава термомеханическим способом. Осуществляется в процессе горячей прокатки (например, П. листов и плит) или прессования (П. труб). П. может быть одно– и двусторонним. Применяется для получения биметалла и триметалла, для создания антикоррозийного слоя алюминия на листах, плитах, трубах из алюминиевых сплавов, нанесения латунного покрытия на листы стали (вместо электролитического покрытия) и т.д.
Плакодермы
Плакоде'рмы, пластинокожие, панцирные рыбы (Placodermi), класс вымерших рыб. П. жили в девоне. Длина до 5—6 м. Голова и передняя часть туловища были покрыты панцирем из костных пластинок кожного происхождения, скульптированных бугорками и валиками. Головной и туловищный отделы панциря соединялись подвижно. Челюсти состояли из заострённых костных пластинок. 2 подкласса: артродиры и антиархи (например, ботриолепис).
Лит.: Друшиц В. В., Обручева О. П., Палеонтология, 2 изд., [М.], 1971.
Панцирная рыба Plourdosteus (подкласс артродиры).
Плакодонты
Плакодо'нты (Placodontia), отряд ископаемых морских пресмыкающихся подкласса синаптозавров. П. жили в триасе. Походили на черепах (спина и брюхо были покрыты панцирем) или на дюгоней (тело удлинённое, длина до 2,5 м). Череп массивный, расширенный в задней части. Зубы мощные, давящие, приспособленные к дроблению раковин моллюсков – основной пищи П. Конечности ластовидные, с укороченными фалангами. Найдены в Западной Европе.
Плакодонт Henodus.
Плакоды
Плако'ды (от греч. pláx – плоскость, пластинка), зачатки органов чувств и ганглиев у человека, позвоночных и некоторых беспозвоночных животных; парные утолщения наружного зародышевого листка – эктодермы, возникают в связи с закладкой нервной системы. У позвоночных за счёт П. формируются: орган обоняния, хрусталик глаза, внутреннее ухо, слуховой ганглий, ганглии лицевого, языко-глоточного и блуждающего нервов, а у круглоротых, рыб и ряда земноводных, кроме того, органы боковой линии (см. Боковые органы).
Плакоидная чешуя
Плако'идная чешуя' (от греч. pláx – плоскость, пластинка и éidos – вид, форма), чешуя, характерная для хрящевых рыб. Состоит из плоского основания – базальной пластинки, шейки и коронки; внутри каждой чешуи имеется полость, заполненная пульпой, или несколько пульповых каналов. П. ч. образована дентином в его различных модификациях, вершина её покрыта более твёрдым эмалеподобным витродентином. П. ч. закладывается на границе эктодермы и мезодермы, развиваясь, прорывает эктодерму и в виде шипа выходит наружу. Формирование П. ч. заканчивается образованием базальной пластинки в мезодерме. В течение жизни животного П. ч. подвергается постоянной смене. В эволюции позвоночных П. ч. предшествует более сложно построенной ганоидной чешуе. Зубы позвоночных – производные П. ч.
Плакорная растительность
Плако'рная расти'тельность (от греч. pláx – плоскость, равнина), растительность ровных водораздельных пространств (плакоров), сложенных в пределах Европейской части СССР главным образом суглинистыми или глинистыми почвообразующими породами. Сообщества, слагающие П. р., обычно соответствуют зональному типу растительности (например, в степи она представлена злаково-разнотравными степными сообществами). Изучение П. р. кладут в основу геоботанического районирования территории, необходимого для её рационального использования.
Плаксин Игорь Николаевич
Пла'ксин Игорь Николаевич [25.9(8.10).1900, Уфа,– 15.3.1967, Москва], советский учёный в области металлургии и горного дела, член-корреспондент АН СССР (1946). Член КПСС с 1945. После окончания Дальневосточного университета (1926) работал в лаборатории Н. С. Курнакова в Химическом институте АН СССР (Ленинград), в 1928—30 – в Московской горной академии, с 1930 – в Московском институте цветных металлов и золота (заведующий кафедрой металлургии благородных металлов, заместитель директора). Одновременно был заместителем директора Всесоюзного института механической обработки и обогащения руд (1941—43), с 1944 руководил отделом обогащения полезных ископаемых института горного дела АН СССР. Основные труды по теории и технологии гидрометаллургических процессов, обогащению полезных ископаемых и истории металлургии. Создал современные научные основы гидрометаллургиии извлечения благородных металлов из руд, теоретически обосновал процесс амальгамации, предложил эффективный способ интенсификации процесса цианирования. Государственная премия СССР (1951, 1952). Награжден орденом Ленина, орденом Трудового Красного Знамени и медалями.
Соч.: Гидрометаллургия, М., 1949 (совм. с Д. М. Юхтановым); Металлургия благородных металлов, М., 1958; Флотация, М., 1961 (совм. с В. А. Глембоцким и В. И. Классеном); Гидрометаллургия с применением ионитов, М., 1964 (совм. с С. А. Тэтару).
Лит.: Игорь Николаевич Плаксин, М.,1962 (Материалы к биобиблиографии ученых СССР. Серия технических наук. Горное дело, в. 10).
А. С. Федоров.
Плакун-трава
Плаку'н-трава', дербенник иволистный, многолетнее травянистое растение из рода дербенник.
План (в архитектуре)
План в архитектуре, 1) выполненное в определённом масштабе графическое изображение горизонтальной проекции здания (или одного из его этажей или помещений) или комплекса зданий, населённого пункта в целом или отдельных его частей. На П., в зависимости от его назначения, могут быть указаны конструкции стен и опор, расстановка мебели в интерьерах, расположение оборудования и схема технологического процесса в производственных помещениях, озеленение территории и схема транспортной сети в городе и др. План обычно характеризует форму и конфигурацию сооружения. 2) Характеристика расположения основных частей здания или ансамбля на уровне земли (в многоэтажных зданиях и в комплексах, размещенных на сложном рельефе,– на разных уровнях).
План выражения
План выраже'ния, лингвистический термин, употребляемый в глоссематике, но используемый языковедами др. школ для обозначения определённым образом организованной области материальных средств, служащих для передачи языковых сообщений. Противополагается плану содержания, под которым понимается «мир мысли», воплощаемый в языке, т. е. организованная определённым образом область всего того, что может быть предметом языкового сообщения. Глоссематика выделяет в каждом из планов форму и субстанцию, членя язык на 4 сферы (стратума): форма выражения, субстанция выражения, форма содержания, субстанция содержания. Форма обоих планов специфична для каждого языка и не зависит от той субстанции, в которой она проявляется. Субстанция каждого из планов определяется через понятия формы (сети отношений между элементами данного плана) и материала (некоторой нерасчленённой, но поддающейся членению аморфной массы звуков и т.п. и идей) и трактуется как материал, расчленённый посредством формы. Обычно термин «П. в.» применяется к области звуковых явлений, т.к. для концепций, отличных от глоссематики, основным объектом лингвистики является устная разновидность естественного языка. Напротив, в глоссематической теории подчёркивается равноправность фонетической, графической (для письменного языка) или любой иной субстанции выражения, в которой может манифестироваться форма выражения, оставаясь тождественной самой себе. Одной из основных идей глоссематики является тезис об изоморфизме языковых планов. Вместе с тем утверждается их неконформальность, выражающаяся в том, что и в том и в другом языковых планах наряду с означающими и означаемыми выделяются их элементы, не соотносимые однозначным образом с сущностями противоположного плана (т. н. фигуры выражения и содержания). Именно это определяет целесообразность членения естественного языка на П. в. и план содержания, тогда как для др. семиотических систем, в инвентарь которых не входят незнаковые единицы, подобное членение не является необходимым.
Лит.: Ельмслев Л., Пролегомены к теории языка, в кн.: Новое в лингвистике, в. 1, М., 1960; Мартине А., О книге «Основы лингвистической теории» Луи Ельмслева, там же; [Мурат В. П.], Глоссематическая теория, в кн.: Основные направления структурализма, М., 1964; Апресян Ю. Д., Идеи и методы современной структурной лингвистики, М., 1966.
Т. В. Булыгина.
План Ельес Хуан Хуанович
Планелье'с Хуан Хуанович (8.4.1900, Херес, Испания,– 25.8.1972, Москва), микробиолог и фармаколог, академик АМН СССР (1969; член-корреспондент 1953); член-корреспондент Академии медицины Испании. По национальности испанец. Окончил лечебный факультет Мадридского университета (1921). В 1926—36 научный руководитель одного из испанских медико-фармацевтических предприятий и директор (с 1930) института клинических исследований в Мадриде. В 1936—39 начальник санитарно-медицинской службы центральной республиканской армии, затем статс-секретарь здравоохранения Испанской Республики. С 1939 – в СССР; с 1943 в институте эпидемиологии и микробиологии им. Н. Ф. Гамалеи АМН СССР. Основные труды по биологии стандартизации фармацевтических и биопрепаратов, сульфаниламидам, лекарственной устойчивости микробов и др. Награжден 2 орденами, а также медалями.
Соч.: О теориях химиотерапевтического действия, «Журнал микробиологии, эпидемиологии и иммунобиологии», 1952, № 7; В. К. Высокович. 1854—1912, М., 1953; Побочные явления при антибиотикотерапии бактериальных инфекций, 2 изд., М., 1965 (совм. с А. М. Харитоновой); Серотонин и его значение в инфекционной патологии, М., 1965 (совм. с З. А. Попененковой).
Е. К. Пономарь.
План (кинематографич.)
План кинематографический, расположение в пространстве и масштаб изображения объекта в кадре. По положению объекта различают: первый, второй и дальний П., по масштабу – крупный, средний и общий. Смена П.– основная форма построения изобразительно-монтажной композиции сцен и эпизодов фильма.
План народнохозяйственный
План народнохозя'йственный, см. Планирование народного хозяйства.
План содержания
План содержа'ния, лингвистический термин, употребляемый в глоссематике, под которым понимается организованная определённым образом область всего того, что может быть предметом языкового сообщения; противополагается плану выражения.
Лит. см. при ст. План выражения.
План счетов
План счето'в, счётный план, система бухгалтерских счетов, предусматривающая их количество, группировку и цифровое обозначение в зависимости от объектов и целей учёта. В П. с. включаются синтетические (счета первого порядка) и связанные с ними аналитические счета (субсчета, или счета второго порядка). Каждому из них даётся краткое наименование, точно соответствующее объекту учёта. Основой построения П. с. служит группировка объектов учёта по их экономическим признакам (например, счета для учёта основных средств, предметов труда; затрат на производство; готовой продукции, товаров и реализации; финансовых средств, фондов и финансовых результатов и др.). Счета располагаются в последовательности, позволяющей взаимосвязанно отражать в бухгалтерском учёте ресурсы хозяйства и их источники, особенности их участия в кругообороте средств предприятий и организаций в процессе производства, распределения и использования общественного продукта. В целях ускорения и облегчения учётных записей счетам первого порядка присваивается условный шифр, а субсчетам – порядковый номер в пределах каждого синтетического счёта. Инструкция по применению П. с. содержит краткую характеристику объектов учёта по каждому счёту и назначения счетов, общую схему их корреспонденции, показывающую типичные бухгалтерские записи по счетам, взаимосвязанным единством хозяйственных процессов и операций.
Единые П. с. (с учётом особенностей отраслей народного хозяйства) используются только в социалистических странах. Для капиталистических стран характерно большое разнообразие номенклатуры бухгалтерских счетов, где применение той или иной номенклатуры определяется собственниками предприятий. В СССР для обеспечения единства и полноты бухгалтерского учёта во всех отраслях народного хозяйства типовые П. с. отдельных отраслей утверждаются министерством финансов СССР по согласованию с ЦСУ СССР. П. с. бухгалтерского учёта для колхозов устанавливают ЦСУ и министерство сельского хозяйства СССР.
П. с. бюджетных и финансово-кредитных учреждений имеют свои особенности, определяемые спецификой деятельности этих организаций.
План (чертёж)
План (от лат. planum – плоскость), 1) чертёж, изображающий в условных знаках на плоскости (в масштабе 1:10000 и крупнее) часть земной поверхности (топографический П.). 2) Горизонтальный разрез или вид сверху какого-либо сооружения или предмета (см., например, План в архитектуре). 3) То же, что горизонтальная проекция (см. Начертательная геометрия). 4) Заранее намеченный порядок, последовательность осуществления какой-либо программы, выполнения работы, проведения мероприятий (например, народнохозяйственный, производственный, стратегический, учебный П., см. Планирование народного хозяйства). 5) Замысел, проект, основные черты какой-либо работы, изложения (П. доклада, пьесы и т.п.). 6) Способ рассмотрения, построения, подхода к чему-либо (в теоретическом П., в двух П. и т.п.). 7) Размещение объектов на изображении (передний, средний, задний П.) и их размеров (крупный, мелкий П., см., например, Планкинематографический).
Планарии
Плана'рии, группа беспозвоночных из подотряда Tricladida класса ресничных червей. П. отличаются крупными размерами (длина тела до 35 см). Распространены по всему земному шару. Обитают в пресных водах, реже – в морях, а в тропиках – и на почве. Питаются мелкими беспозвоночными. Рыбы планарий не едят, т.к. в их коже имеются ядовитые железы.
Планарная технология
Плана'рная техноло'гия, планарный процесс (англ. planar, от лат. planus – плоский, ровный), первоначально – совокупность технологических операций, проводимых для получения полупроводниковых (ПП) приборов с электронно-дырочными переходами, границы которых выходят на одну и ту же плоскую поверхность ПП пластины и находятся под слоем защитного диэлектрического покрытия; в современном, более широком смысле – совокупность технологических операций, проводимых для получения практически любых ПП приборов и интегральных схем, в том числе и таких, у которых границы электронно-дырочных переходов не выходят на одну плоскую поверхность. Термины «П. т.» и «планарный прибор» появились в 1959, когда американской фирмой «Фэрчайлд» (Fairchild) были созданы первые планарные кремниевые транзисторы.
Основные технологические операции при изготовлении классического планарного кремниевого транзистора с n—p—n-переходами выполняются в следующей последовательности. На отшлифованной, а затем отполированной, тщательно очищенной плоской поверхности пластины из монокристаллического кремния с электропроводностью n-типа (рис., а) термическим окислением в сухом или влажном кислороде создают слой двуокиси кремния (SiO2) толщиной от нескольких десятых до 1,0—1,5 мкм (рис., б). Далее производят фотолитографическую обработку этого слоя (см. Фотолитография): на окисленную поверхность кремния наносят слой фоторезиста, чувствительного к ультрафиолетовому излучению; пластину с высушенным слоем фоторезиста помещают под шаблон – стеклянную пластину с рисунком, в заданных местах прозрачным для ультрафиолетового излучения; после обработки излучением фоторезист в тех местах, под которыми должен сохраняться слой SiO2, полимеризуют (задубливают), с остальной части пластины фоторезист снимают и удаляют травлением обнажившийся слой SiO2, после чего снимают оставшийся фоторезист (рис., в). Затем в участки, где нет плёнки окисла, проводят диффузию бора (акцепторной примеси) для создания в материале исходной пластины (коллекторная область) базовой области с электропроводностью р-типа. Т. к. диффузия одновременно идёт и перпендикулярно поверхности пластины, и параллельно ей, т. е. под края окисной плёнки, то границы электронно-дырочного перехода между коллекторной и базовой областями, выходящие на поверхность пластины, оказываются закрытыми слоем SiO2 (рис., г). После проведения диффузии бора (или одновременно) поверхность пластины повторно подвергают окислению и повторно производят фотолитографическую обработку (рис., д) с целью создания эмиттерной области с электропроводностью n-типа диффузией фосфора (донорной примеси) в заданные участки базовой области. При этом границы электронно-дырочных переходов между эмиттерной и базовой областями оказываются также закрытыми слоем SiO2 (рис., е). После диффузии доноров или одновременно с ней проводят третье окисление и над эмиттерной областью создают слой чистой SiO2 или фосфорно-силикатного стекла. Затем производят последнюю фотолитографическую обработку и вытравливают над эмиттерной и базовой областями в плёнке окисла отверстия для контактов к этим областям (рис., ж). Контакты создают нанесением тонкой металлической плёнки (обычно Al; рис., з). Контакт к коллекторной области осуществляют путём металлизации нижней поверхности исходной пластины. Пластину кремния разрезают на отдельные кристаллы, каждый из которых имеет транзисторную структуру. Наконец, каждый кристалл помещают в корпус и герметизируют последний.
По мере своего развития П. т. включила в себя ряд новых процессов. В качестве материала защитных плёнок используют не только SiO2, но и нитрид кремния, оксинитрид кремния и др. вещества. Для их создания применяют пиролиз, реактивное (в кислородной среде) распыление кремния и др. процессы. Для селективного удаления защитной диэлектрической плёнки, помимо обычной оптической фотолитографии, применяется обработка электронным лучом (т. н. электронолитография). Для легирования кремния, кроме диффузии, используют ионное внедрение донорных и акцепторных примесей. Получило распространение сочетание методов П. т. с технологией эпитаксиального выращивания (см. Эпитаксия). В результате такого сочетания создан широкий класс разнообразных планарно-эпитаксиальных ПП приборов. Появилась возможность получать стойкие защитные диэлектрические плёнки не только на кремнии, но и на других ПП материалах. В результате были созданы планарные ПП приборы на основе германия и арсенида галлия. В качестве легирующих примесей в П. т. используют не только бор и фосфор, но также др. элементы третьей и пятой групп периодической системы элементов Д. И. Менделеева.
Главное достоинство П. т., послужившее причиной её распространения в полупроводниковой электронике, заключается в возможности использования её как метода группового изготовления ПП приборов, что повышает производительность труда и процент выхода годных приборов, позволяет уменьшить разброс их параметров. Применение в П. т. таких прецизионных процессов, как фотолитография, диффузия, ионное внедрение, даёт возможность очень точно задавать размеры и свойства легируемых областей и в результате получать параметры и их сочетания, недостижимые при др. методах изготовления ПП приборов. Защитные диэлектрические плёнки, закрывающие выход электронно-дырочных переходов на поверхность ПП материала, позволяют создавать приборы со стабильными характеристиками, мало меняющимися во времени. Этому способствует также ряд специальных мер: поверхность пластин перед нанесением защитной плёнки тщательно очищают, при создании защитных плёнок используют особо чистые исходные вещества (например, бидистиллированную воду, которая после последней дистилляции не контактирует с внешней средой) и т.д.
Лит.: Кремниевые планарные транзисторы, под ред. Я. А. Федотова, М., 1973; Мазель Е. З., Пресс Ф. П., Планарная технология кремниевых приборов, М., 1974.
Е. З. Мазель.
Стадии изготовления планарного транзистора: а – исходная пластина; б – после первого окисления; в – после первой фотолитографической обработки; г – после создания базовой области и второго окисления; д – после второй фотолитографической обработки; е – после создания эмиттерной области и третьего окисления; ж – после третьей фотолитографической обработки; з – после металлизации; 1 – исходный кремний с электропроводностью n-типа; 2 – маскирующая плёнка двуокиси кремния; 3 – базовая область; 4 – эмиттерная область; 5 – металлическая плёнка (контакты).
