355 500 произведений, 25 200 авторов.

Электронная библиотека книг » И. Хабловски » Электроника в вопросах и ответах » Текст книги (страница 11)
Электроника в вопросах и ответах
  • Текст добавлен: 15 мая 2017, 15:00

Текст книги "Электроника в вопросах и ответах"


Автор книги: И. Хабловски


Соавторы: В. Скулимовски
сообщить о нарушении

Текущая страница: 11 (всего у книги 29 страниц)

Что такое диодный тиристор?

Это полупроводниковый р-n-р-n прибор с тремя переходами и двумя выводами, имеющий два устойчивых рабочих состояния. В одном состоянии ток, протекающий через прибор, мал, в другом – велик. Диодный тиристор можно рассматривать как последовательное и встречное включение трех диодов (рис. 5.7) или как соединение двух транзисторов типов р-n-р и n-р-n. Тиристор смещен в проводящем направлении, если на его аноде положительное напряжение; при этом диоды Д1 и Д2 открыты. Для диодного тиристора встречается также название диод Шокли или динистор.


Рис. 5.7. Структура (а), эквивалентная схема (б) и условное графическое обозначение диодного тиристора (в)

Какой вид имеет вольт-амперная характеристика диодного тиристора?

Типичный вид вольт-амперной характеристики диодного тиристора, т. е. зависимость протекающего через тиристор тока от подводимого напряжения, представлен на рис. 5.8. При подведении к аноду отрицательного напряжения (при смещении тиристора в непроводящем направлении) через тиристор течет очень малый обратный ток (так называемое состояние запирания тиристора), дифференциальное сопротивление в этой области очень велико (несколько десятков мегом). При превышении обратного напряжения пробоя Uобр наступает резкое увеличение этого тока. При подаче на анод тиристора положительного напряжения, т. е. при его смещении в проводящем направлении, возможны два состояния: выключенное (запертое) и включенное (отпертое) состояние, в котором дифференциальное сопротивление тиристора очень мало (несколько ом).

Для перехода из выключенного во включенное состояние требуется превышение напряжения включения Uвкл. Процесс перехода длится определенное время, связанное с движением носителей зарядов через переходы. Для возврата в выключенное состояние требуется отключение или соответствующее уменьшение внешнего напряжения.


Рис. 5.8. Типичный вид вольт-амперной характеристики диодного тиристора:

– ток выключения; 2 – включенное (открытое) состояние; 3 – запертое состояние (отсутствие проводимости); 4 – лавинный пробой; 5 – напряжение включения; 6 – выключенное (закрытое) состояние

Что такое симметричный диодный тиристор?

Это тиристор со структурой, соответствующей двунаправленному четырехслойному диоду. Из характеристики такого тиристора (рис. 5.9) видно, что его свойства одинаковы при смещении в проводящем и запирающем направлениях. Симметричный диодный тиристор, или двунаправленный тиристор, называется также двунаправленным диодным выключателем или динистором.


Рис. 5.9. Характеристика симметричного диодного тиристора (а) и его условное графическое обозначение (б)

Что такое триодный тиристор?

Это полупроводниковый прибор, представляющий собой четырсхслойную структуру, имеющую дополнительный третий вывод, называемый управляющим электродом, соединенный с внутренней областью р-типа (рис. 5.10). Управляющий электрод дает возможность включать тиристор при анодном напряжении, меньшем напряжения включения. Триодный тиристор называется также кремниевым управляемым выпрямителем или просто тиристором.


Рис. 5.10. Структура триодного тиристора (а) и его условное графическое обозначение (б)

Семейство статических характеристик триодного тиристора представлено на рис. 5.11. Вид характеристик зависит от тока управляющего электрода. При положительном смещении анода и отсутствии сигнала управления (Iупр = 0) вид характеристик такой же, как и у диодного тиристора, при подаче на управляющий электрод положительного напряжения переход тиристора во включенное состояние происходит при значениях анодных напряжений, меньших напряжений включения, соответствующего нулевому управляющему току (Iупр = 0). Чем больше ток управления Iупр, тем меньше соответствующее ему напряжение включения.


Рис. 5.11. Статические характеристики триодного тиристора в диапазоне положительных анодных напряжений

После перехода тиристора со включенное состояние цепь управляющего электрода перестает влиять на анодный ток и «погасить» тиристор (вывести его из включенного состояния) с помощью управляющего электрода невозможно. Тиристор, который удается включить током управляющего электрода, называется незапираемым тиристором. Его выключение возможно путем прерывания протекания анодного тока. Это осуществляется при помощи отключения анодного напряжения, при замыкании цепи анод-катод или при переходе через нуль в случае питания анода синусоидальным напряжением.

Каковы параметры тиристоров?

Тиристоры могут работать в большом диапазоне напряжений, токов и температур, особенно при дополнительном водяном или воздушном охлаждении. Современные тиристоры работают при напряжениях до нескольких тысяч вольт и токах со средним значением до нескольких сотен ампер. Дифференциальное сопротивление тиристоров во включенном состоянии очень мало и разно 0,01—0,1 Ом. В выключенном состоянии сопротивление тиристоров обычно больше 100 кОм. Время включения в зависимости от конструкции тиристора от 0,1 до нескольких микросекунд, а время выключения значительно больше (5—30 мкс).

Что такое запираемый тиристор?

Это тиристор, структура и вольт-амперная характеристика которого такие же, как у триодного тиристора, с той лишь разницей, что с помощью управляющего электрода можно его как включить, так и выключить. Графическое изображение такого тиристора, называемого иногда запираемым (англ. GTO – gate turn-off switch), представлено на рис. 5.12. Следствием возможности выключения является значительное увеличение тока управляющего электрода, требуемого для включения, по сравнению с незапираемым тиристором (до 20 мА вместо 30 мкА). Запираемые тиристоры выпускаются в настоящее время для работы при токах до нескольких ампер и мощности потерь до 20 Вт.


Рис. 5.12. Условное графическое обозначение запираемого тиристора с управлением по аноду (а) и катоду (б)

Что такое тетродный тиристор?

Это тиристор с двумя управляющими электродами: анодным и катодным. Структура тетродного тиристора и его графическое изображение представлены на рис. 5.13. Анодный управляющий электрод может быть использован как для включения, так и для выключения тиристора.


Рис. 5.13. Структура тетродного тиристора (а) и его условное графическое обозначение (б)

Для включения необходимо подать на управляющий электрод импульс отрицательной полярности, для выключения положительной. Тетродный тиристор часто называют кремниевым управляемым переключателем. Достоинством тетродных тиристоров является меньшее время выключения (около 1—30 мкс), чем у триодных тиристоров. Выпускаемые в настоящее время тетродные тиристоры работают при токах до нескольких сотен миллиампер при рассеиваемой мощности до 0,5 Вт. Вольт-амперные характеристики обоих типов тиристоров имеют одинаковый вид.

Что такое симистор?

Это симметричный тиристор с одним управляющим электродом, который может быть включен как при положительном, так и при отрицательном напряжении смещения анода с помощью положительного или отрицательного импульса, поданного на управляющий электрод. Вид характеристики симистора и его графическое изображение представлены на рис. 5.14.


Рис. 5.14. Вольт-амперная характеристика симистора (а) и его условное графическое обозначение (б):

1 – отрицательный и 2 – положительный второй анод

Для каких целей используются тиристоры?

Тиристоры широко применяются в управляемых выпрямителях, стабилизаторах напряжения (см. гл. 6) в качестве переключателей, выключателей и основных элементов в технике автоматического регулирования.

Что такое фототиристор?

Это тиристор с одним управляющим электродом и окошком в корпусе, позволяющим освещать один из переходов в р-n-р-n структуре. Включение фототиристора зависит как от тока управляющего электрода, так и от падающего через окошко света. Фототиристоры находят широкое применение в схемах регулирования и логических схемах.

Что такое микроэлектроника?

Определение «микроэлектроника» охватывает область электроники, занимающуюся проектированием и изготовлением интегральных микросхем, позволяющих значительно уменьшить (в несколько сотен или даже тысяч раз) размеры электронных устройств.

Что такое интегральные микросхемы?

Это схемы, содержащие в виде одного электронного микроузла ряд основных элементов (резисторы, конденсаторы, диоды, транзисторы), изготовленных в едином технологическом цикле и образующих соответствующую электронную схему, выполняющую запланированную и определенную функцию, например усилителя, генератора, триггера, логической схемы, и имеет определенные технические параметры. Составляющие элементы электронной схемы и их межсоединения изготавливаются внутри (в объеме), либо на поверхности общей подложки и образуют неразъемное целое. Интегральная микросхема как микроузел предназначена для непосредственного монтажа в электронных устройствах и образует вместе с корпусом небольшую «таблетку» прямоугольной формы (рис. 5.15) с выводами для пайки. В зависимости от технологии и назначения интегральная микросхема эквивалентна электронной схеме, содержащей обычно от единиц до нескольких сотен и более отдельных (дискретных) пассивных и активных элементов.


Рис. 5.15. Внешний вид интегральной микросхемы

Что такое интегральные схемы малой и большой степени интеграции?

Интегральные микросхемы, содержащие до 100 пассивных и активных элементов[16]16
  Степень интеграции в нашей литературе принято характеризовать количеством активных элементов (транзисторов) на кристалле. – Прим. ред.


[Закрыть]
, принято называть схемами средней степени интеграции (англ. MSI), а схемы, содержащие свыше 100 элементов, – большой степени интеграции. Существуют также схемы с малой степенью интеграции, содержащие небольшое количество элементов. Например, типичная схема БИС содержит несколько сотен элементов, выполненных на пластинке размерами (без корпуса) 1,5х3 мм.

Какие преимущества дает применение интегральных микросхем?

Применение интегральных микросхем вместо схем, состоящих из дискретных элементов, дает ряд преимуществ, из которых важнейшими являются: уменьшение габаритных размеров (миниатюризация) и массы устройства, увеличение надежности, снижение стоимости изготовления устройств и уменьшение потребления материалов. Введение интегральных микросхем позволило разработать устройства, изготовление которых при использовании дискретных элементов было бы вообще невозможным или неэкономичным.

Применение интегральных микросхем создает также и некоторые неудобства. Ограниченный выбор типов этих схем иногда вынуждает разработчиков «подгонять» свои решения к существующим интегральным микросхемам. Интегральные микросхемы создают также некоторые трудности при монтаже, в частности при пайке. Они крайне чувствительны к искрениям и коротким замыканиям в схеме.

Какие типы интегральных микросхем встречаются в электронике?

Существуют четыре типа интегральных микросхем, отличающихся технологией изготовления и свойствами: полупроводниковые, тонкопленочные, толстопленочные, гибридные. Наиболее распространены полупроводниковые интегральные микросхемы.

Интегральные микросхемы можно разделить на две группы с точки зрения условий работы содержащихся в них элементов: цифровые интегральные микросхемы и аналоговые интегральные микросхемы (часто называемые линейными интегральными микросхемами). В цифровых схемах активные элементы выполняют роль переключателей, которые могут принимать два крайних состояния: отпирания и запирания (или включения и выключения). В аналоговых схемах произвольный входной сигнал (в определенном интервале линейной работы) вызывает соответствующий выходной сигнал. К цифровым схемам относятся триггеры, к линейным – усилители.

Что такое полупроводниковые интегральные микросхемы?

Это интегральные микросхемы, все пассивные и активные элементы которых изготовлены в одной пластинке полупроводника (монокристалле кремния). Большую часть пластинки по толщине составляет подложка, и только в тонком приповерхностном слое находятся элементы схемы и соединения между ними, созданные методом диффузионно-планарной технологии. Такая технология позволяет создать в пластинке полупроводника (кремния) области с разным типом проводимости (р и n), а также соединения этих областей с металлическими контактами. Области с разным типом проводимости образуют переходы, выполняющие функции резисторов, конденсаторов, диодов, транзисторов. Тип проводимости определяется концентрацией примеси. Избыток доноров дает область с проводимостью типа n, избыток акцепторов – область с проводимостью типа р. Процесс изменения типа проводимости путем добавления примесей называется компенсацией.

Атомы примесей вводятся в полупроводник через поверхность с помощью диффузии, например путем помещения полупроводника в смесь паров с атомами примеси при достаточно высокой температуре. Возможно проведение даже тройной диффузии, при которой получают трехслойную структуру, содержащую два перехода; наиболее глубокой является первая диффузия. Ограничение областей, в которых путем диффузии примесей получают изменение типа проводимости, осуществляется с помощью слоев двуокиси кремния, предохраняющих от диффузии участки, покрытые таким слоем. Слой двуокиси кремния на пластинке создается окислением поверхности пластинки при высокой температуре. Вскрытие определенных участков (так называемых окошек) в слое окисла для проведения диффузии осуществляется растворением окисла в плавиковой кислоте. В процессе удаления слоев окисла с определенных участков поверхности пользуются фотомасками, облучаемыми ультрафиолетовыми лучами. Участки полупроводника, покрытые светочувствительной эмульсией и не засвеченные через маску (шаблон), образованную системой прозрачных и непрозрачных участков, вытравливаются. Этот процесс называется фотолитографией.

Слой окисла используется также для защиты поверхности полупроводника после окончания производственного процесса от загрязнений и влияния окружающей среды. Это – пассивация поверхности.

Полупроводниковые интегральные микросхемы являются наиболее распространенным типом интегральных микросхем, обеспечивающих максимальную миниатюризацию и надежность. При массовом производстве являются наиболее дешевыми. Плотность упаковки в полупроводниковых интегральных микросхемах доходит даже до нескольких тысяч элементов и более на 1 мм2.

Как выполняются диоды и транзисторы в полупроводниковых интегральных микросхемах?

Изготовление диода осуществляется относительно просто. Используется процесс диффузии, создающий один р-n переход. Структура диода в интегральной микросхеме характеризуется плоским планарным) переходом, например таким, как на рис. 5.16.

Рис. 5.16. Структура полупроводникового диода в интегральной микросхеме:

– контакт; 2 – металлизация; 3 – двуокись кремния

Электрические параметры диффузионного диода зависят от площади перехода, распределения и концентрации примесей. Транзисторы также изготавливаются на основе использования диффузии для получения двух переходов в планарной структуре (рис. 5.17).


Рис. 5.17. Схематическая структура транзистора в интегральной схеме:

– первая, 2 – вторая, 3 – третья диффузии

Как создаются резисторы в полупроводниковых интегральных микросхемах?

Сопротивление материала зависит от его удельного сопротивления (сопротивления, определенного на длине 1 см для поперечного сечения этого материала, равного 1 см2), длины, площади и температуры. У полупроводниковых интегральных микросхем резистор создается путем диффузии слоя типа р в полупроводнике типа n или наоборот (рис. 5.18).


Рис. 5.18. Структура резистора в полупроводниковой интегральной микросхеме

По двум концам созданной таким образом резистивной дорожки располагаются металлические контактные площадки, между которыми и «действует» сопротивление, зависящее от формы канала и количества примесей в нем. Ограничивающий такой канал переход, естественно, смещен в обратном направлении. Описываемым способом получают сопротивления от нескольких ом до нескольких десятков килоом. Точность диффузионного резистора невысокая и составляет обычно примерно 20 %, однако относительный разброс сопротивлений резисторов для интегральных микросхем одного типа составляет около ±2 %.

Как изготавливают конденсаторы в полупроводниковых интегральных микросхемах?

Емкостные элементы создаются путем использования емкости р-n перехода, смещенного в обратном направлении. Заряд в запирающем слое зависит от напряжения смещения. Кроме того, емкость перехода зависит от площади перехода и распределения в нем примесей. Легко получают емкости 100—1000 пФ/мм2. Из-за ограниченной площади перехода возможности получения больших емкостей перехода также ограничены. Недостатками таких конденсаторов являются большая температурная зависимость, а также ограничение амплитуды переменного напряжения, поскольку переход в любых условиях работы должен быть смещен отрицательным напряжением, если он должен представить собой емкость и работа должна происходить в линейном диапазоне.

Как создаются индуктивности в полупроводниковых интегральных микросхемах?

Создание индуктивности в полупроводниковых интегральных микросхемах связано с некоторыми трудностями. В связи с этим при преобразовании классической схемы в схему, предназначенную для интеграции, следует применять RC-элементы и исключать элементы L. Трудности создания индуктивности в полупроводниковых микросхемах оказывают непосредственное влияние на выбор и структуру схем, предназначенных для интегрального исполнения. Приходится заменять схемы, построенные из дискретных элементов и содержащие индуктивности, несколько более громоздкими схемами, однако без индуктивности.

Некоторое увеличение схемы, предназначенной для интегрального исполнения, однако, имеет второстепенное значение. С этой точки зрения проще создавать схемы цифровой техники, так как они обычно реализуются без индуктивности (триггеры, логические элементы).

Что такое тонкопленочные интегральные микросхемы?

Это схемы, элементы которых совместно с межсоединениями создаются в виде тонких пленок[17]17
  Толщина пленок 1–2 мкм. – Прим. ред.


[Закрыть]
, (проводящих, резистивных, диэлектрических и полупроводниковых) разных материалов, осажденных на общей стеклянной или керамической подложке. Схемы подобного типа изготавливают напылением в вакууме через соответствующие маски.

Обычно в виде тонкопленочных схем изготавливаются пассивные схемы. В отличие от полупроводниковых конденсаторов с р-n переходом емкость тонкопленочных конденсаторов не зависит от напряжения и может иметь значительно большее значение (например, в виде многослойных конденсаторов). Тонкопленочные резисторы также могут иметь большие сопротивления. Кроме того, их точность может быть очень высокой, а температурная зависимость слабой. Активные элементы в тонкопленочной технике пока еще недостаточно освоены, поэтому тонкопленочная техника не находит широкого практического применения.

Что такое толстопленочные интегральные микросхемы?

Это схемы, отличающиеся от тонкопленочных прежде всего тем, что они изготовлены путем вжигания окислов[18]18
  Толщина пленок в этом случае составляет 10–20 мкм и более. – Прим. ред.


[Закрыть]
, расположенных на керамической подложке. Их применение ограничено, хотя встречаются чаще, чем тонкопленочные схемы. Толстопленочные схемы охватывают лишь пассивные схемы.

Что такое гибридные интегральные микросхемы?

Это схемы, изготовленные путем использования различных технологических методов, чаще всего такие, в которых резисторы, конденсаторы и их межсоединения выполнены с помощью тонкопленочной или толстопленочной технологии на керамической плате, а диоды и транзисторы представляют собой дискретные компоненты, вмонтированные в эту схему. Затем всю сборку заливают изолирующей смолой. В других вариантах пассивные тонкопленочные элементы напыляются на полупроводниковую пластинку, содержащую активные полупроводниковые элементы.

Что такое термистор?

Это нелинейный полупроводниковый резистор, сопротивление которого зависит от температуры, причем рост температуры вызывает уменьшение сопротивления. Изменения температуры в термистора могут возникать под влиянием изменений внешней температуры или при изменении тока, протекающего через термистор. Рост тока вызывает увеличение температуры, что ведет к убыванию сопротивления, в результате чего напряженке ка термисторе может оставаться постоянным в определенном диапазоне изменения тока.

Примерный вид характеристик термистора и его графическое изображение представлены на рис. 5.19. Термисторы имеют широкий интервал номиналов сопротивлений. Их применяют для стабилизации напряжения, для компенсации влияния изменений температуры и т. д.


Рис. 5.19. Характеристики термистора (а) и его условное графическое обозначение (б)


    Ваша оценка произведения:

Популярные книги за неделю